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ITO无氧化烤箱,防氧化退火炉

ITO无氧化烤箱,防氧化退火炉

简要描述:

ITO无氧化烤箱,防氧化退火炉薄膜电导率随退火温度的上升呈先上升后下降的变化。上升阶段,载流子浓度和迁移率共同影响电导率;下降阶段,迁移率的降低对电导率的减小起到主要作用。

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ITO无氧化烤箱,防氧化退火炉简介:

  ITO薄膜是一种n型半导体材料,具有高的导电率•●、高的可见光透过率•●、高的机械硬度和良好的化学稳定性。ITO制备工艺中退火是非常重要的工艺步骤,对烤箱的温度•●、含氧量都有明确的要求。

ITO无氧化烤箱,防氧化退火炉的必要性:

1•●、在ITO中,Sn是以替位参杂的方式,取代In出现在In2O3晶格中,形成氧化铟锡置换固溶体随着退火温度的升高,峰强增强,ITO晶粒择优生长,晶粒尺寸随温度的上升而变大。

2•●、随着退火温度的升高,ITO薄膜的微观结构得到改善,表面形貌均一稳定,但当退火温度超过某一界限时,ITO颗粒大小不一,形状各异,小颗粒团聚现象严重,薄膜的表面形貌遭到破坏。

3•●、薄膜电导率随退火温度的上升呈先上升后下降的变化。上升阶段,载流子浓度和迁移率共同影响电导率;下降阶段,迁移率的降低对电导率的减小起到主要作用。

ITO无氧化烤箱技术指标:                    

内腔尺寸:W600mm×D600mm×H600mm(可定做)

材质:SUS304不锈钢
温度范围:RT+10-450℃,使用温度≤400℃
温度分辨率:0.1℃
温度波动度:<±0.5℃
温度均匀度:≤±1.5%
洁净度:class 100,设备采用无尘材料,适用100级光刻间净化环境
电源及总功率:AC 380V±10% / 50HZ       总功率约21.0KW    
升温速度:8℃/min,(空箱测试)可自定义
降温速度:约3℃/min(空箱测试)可自定义
氧含量分析仪:≤ 100ppm 
   

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